韓国経済、「DRAM+NAND」の長所だけをひとつに…サムスン、17年ぶり次世代メモリー「MRAM」量産


記事要約:サムスンが「DARM+NAND」の長所だけを一つにした次世代メモリー「MRAM」を量産するそうだ。管理人からすればDRAMやNANDの違いもあまりわかってないのだが、記事を読むと電源を切ってもデータが残っているのがNANDらしい。

> サムスン電子が速度の速いDRAMと電源が切れてもデータが消えないNAND型フラッシュの長所を取った次世代メモリー「MRAM」の量産を始めた。2002年に次世代メモリー研究を始めてから17年で出てきた成果だ。最近需要が急増しているモノのインターネット(IoT)基盤の各種情報通信技術(ICT)製品に主に搭載されると予想される。サムスンの次世代収益事業になる見通しだ。 

サムスン電子はDARM+NANDでさらに次世代メモリー「MRAM」で勝負するようだ。実際、半導体分野で最先端の技術があるなら、その上を目指すのは悪くないだろうな。その次世代メモリーでどういう製品がどう変わるかはよくわからないが。

>  サムスン電子は6日、内蔵型メモリー半導体製品の「eMRAM」を量産すると発表した。メモリー半導体、コントローラー、通信用半導体などのさまざまな機能を持つ半導体をモジュールのようにひとつにまとめたシステムオンチップ(SoC)に装着されるメモリー半導体だ。電源を消してもデータが消えないNAND型フラッシュの特性を持ち、書き込み速度は既存の内蔵型製品(eフラッシュ)より1000倍速い。

書き込み速度が既存品より1000倍速いとかいわれてもな。まあ、速い方がいいとはおもうが。

> サムスン電子がMRAMを量産したのは2002年にサムスン電子半導体研究所が次世代半導体研究を始めてから17年ぶりだ。DRAMとNAND型フラッシュに代わるメモリー半導体を開発するという計画で始めた。メモリーの容量を拡大すると同時に生産単価を低くできるナノプロセス技術を確保するのに少なくない困難があったという。 

17年ぶりね。やはり、サムスン電子は金は持っているな。17年かけて次世代メモリー半導体を開発したと。

> 今回の製品は28ナノプロセス基盤で生産するが、18ナノ級ナノプロセスも開発しているという。同社関係者は「現在の量産製品より容量を数倍に引き上げた1ギガビット(Gb)級eMRAMも年内に試験生産する予定」と話した。

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韓国経済、「DRAM+NAND」の長所だけをひとつに…サムスン、17年ぶり次世代メモリー「MRAM」量産

サムスン電子が速度の速いDRAMと電源が切れてもデータが消えないNAND型フラッシュの長所を取った次世代メモリー「MRAM」の量産を始めた。2002年に次世代メモリー研究を始めてから17年で出てきた成果だ。最近需要が急増しているモノのインターネット(IoT)基盤の各種情報通信技術(ICT)製品に主に搭載されると予想される。サムスンの次世代収益事業になる見通しだ。 

  ◇1000倍速くなった書き込み速度 

  サムスン電子は6日、内蔵型メモリー半導体製品の「eMRAM」を量産すると発表した。メモリー半導体、コントローラー、通信用半導体などのさまざまな機能を持つ半導体をモジュールのようにひとつにまとめたシステムオンチップ(SoC)に装着されるメモリー半導体だ。電源を消してもデータが消えないNAND型フラッシュの特性を持ち、書き込み速度は既存の内蔵型製品(eフラッシュ)より1000倍速い。 

  サムスン電子関係者は、「既存のメモリー製品と違いソフトウェアなどをアップグレードする際に既存データを削除する必要がなく、書き込み速度が画期的に改善された」と話した。続けて「電源が切れた状態でデータを維持でき別途の待機電力も消費しない」と付け加えた。読み取り速度は既存製品と同水準という。 

  サムスン電子がMRAMを量産したのは2002年にサムスン電子半導体研究所が次世代半導体研究を始めてから17年ぶりだ。DRAMとNAND型フラッシュに代わるメモリー半導体を開発するという計画で始めた。メモリーの容量を拡大すると同時に生産単価を低くできるナノプロセス技術を確保するのに少なくない困難があったという。 

  初めての量産製品は企業顧客の注文と設計により受託生産するファンドリー用として出された。サムスン電子はMRAMをDRAMとNAND型フラッシュのように標準化された製品として大量生産するよりは、IoT機能が必要なスマートウォッチ、電気炊飯器など小型電子機器と製品用に生産するのが合っているという判断をしたという。 

  ◇IoT電子機器に活用度高く 

  サムスン電子は新たな革新技術も導入した。半導体原板であるシリコンウエハーの上に絶縁膜をかぶせて外部に漏れる電力量を減らせるFD-SOI工程を導入した。電力消費量が大きく減り完全無線イヤホンなど超小型IT機器にも装着できると同社は説明した。 

  サムスン電子は今後技術革新を通じて集積度を高め生産単価を下げられる後続新製品を発表する計画だ。 

  今回の製品は28ナノプロセス基盤で生産するが、18ナノ級ナノプロセスも開発しているという。同社関係者は「現在の量産製品より容量を数倍に引き上げた1ギガビット(Gb)級eMRAMも年内に試験生産する予定」と話した。 

  半導体業界ではMRAMがDRAMまたはNAND型フラッシュを代替するよりは、多様な性能と機能を持つメモリー製品が相当期間共存する可能性が大きいとみている。MRAMはIoTを基盤とする電子機器に対する需要のため市場が急成長するものと業界は期待している。 

  競合会社も先を争って製品開発に乗り出している。インテルは昨年末米サンフランシスコで開かれた国際半導体素子学会(IEDM)にMRAMの新製品を発表した。ファンドリー業界1位のTSMCも22ナノ級内蔵型MRAMを開発していると伝えられた。

(https://japanese.joins.com/article/983/250983.html?servcode=300&sectcode=320)

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